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| 開示番号 | 発明の名称 | 発明の概要 | 出願番号 | 出願日 |
| 2802001 | セラミックスと金属との接合法およびセラミックスと金属との接合体 | セラミックスと金属とを傾斜機能材料の技術を適応して接合する技術に関する。 バルク状セラミックス１および金属粒子とセラミックス粒子とからなる混合粉末に遠心力場で溶融金属を注入し、これにより得られる傾斜層を介してセラミックスと金属とが接合したことを特徴とする。 |
2016-8656 | 2016/1/20 |
| 2802002 | 高機械強度な漆喰成形体およびその製造方法 | オートクレープ装置を使用することなく、高機械強度な漆喰成形体を容易に作製する。 水酸化カルシウムまたは炭酸カルシウムからなる原料粉末を、低温加熱すると共に、高加圧して成形されたことを特徴とする。 |
2016-8962 | 2016/1/20 |
| 2802003 | 熱電変換用高分子膜、その製造方法、及び熱電変換素子 | 様々な基板上に形成可能、かつ高い熱電特性を有する高分子膜からなる熱電変換材料とその製造方法を提供する。 界面活性剤を含むポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸）からなる熱電変換用高分子膜であり、前記界面活性剤を含むポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸）水分散液を用い、基板上に前記界面活性剤を含むポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸）の膜を形成し、その後加熱処理を行うことを特徴とする。 |
2016-9084 | 2016/1/20 |
| 2802004 | 単核ニッケル錯体、それを用いた水素製造法、センサー | 水素生成反応を促進する酵素ヒドロゲナーゼの活性中心構造をモデルとした、プロトン供与部位を配位子内に有する単核ニッケル（ＩＩ）錯体の製造法及び、それを触媒とした電気化学的水素製造法に関する。従来の貴金属を用いる高価な触媒に代えて、ニッケルを中心金属とした安価な金属錯体触媒を提供する。 | 2016-011449 | 2016/1/25 |
| 2802005 | 電波シールド材、モルタル、融雪装置 | 特定の周波数についてのみ電波シールド効果を発揮する電波シールド材、およびその電波シールド材を有するモルタル、融雪装置に関する。電界方向に対して略平行に、細線を、特定の周波数の電波に対応した間隔および長さで、複数配設させてなる電波シールド材において、各細線を連結する、細線の幅と同等または幅狭とした連結材を有し、容易に設置することができる。 | 2016-013884 | 2016/1/28 |
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