開示特許一覧表（Ｖｅｒ.２４０３）

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開示番号 発明の名称 発明の概要 出願番号 出願日
2403001 関節トルク発生装置 歩行支援用関節トルク発生装置であり、非線形も含めたトルク特性を容易に設計でき、さらに人の操作によって脚の位置に対する発生トルクを動作中に調整可能とする。 特願2012-001104 H24.1.6
2403002 ４－トリフルオロメチルスルホニルイソキサゾール及びその製造法 発明者らは、以前に報告例のない実用的な４－トリフルオロメチルスルホニルイソキサゾールの製造法を開発し、この新規含フッ素複素環化合物は医薬品や農薬合成に展開できる可能性が高い。 特願2012-013649 H24.1.26
2403003 火山灰を原料とする無機固化体の製造方法 火山灰の耐火材、断熱材等への有効利用のため、火山灰を原料として用いて、８０℃以下の温度で固化させる方法を提供する。 特願2012-016608 H24.1.30
2403004 結晶欠陥を低減した化合物半導体の製造方法およびこれによって得られた化合物半導体デバイス ＳｉＣ単結晶の育成において、温度測定および温度制御の精度を大幅に向上させることにより、ＳｉＣ単結晶の積層欠陥密度を従来製法に比べて２桁以上小さくする製造方法を提供する。 特願2012-025217 H24.2.8
2403005 グラフェン状物質の製造方法 所定の基板温度で、炭化水素を含むガスを導入するプラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ等の単結晶基板に直接、グラフェン状物質を形成する製造方法を提供する。 特願2012-026761 H24.2.10
2403006 ヘテロアレーンカルボニル化キナアルカロイド触媒とそれを用いる光学活性β －アミノホスホン酸またはβ －アミノホスフィンの製造方法 発明者らは、あたらしい不斉触媒を用いる光学活性β -アミノホスホン酸およびβ -アミノホスフィン誘導体類の効率的合成法を開発した。この手法は、この種の化合物を立体選択的に合成する初めての手法である。 特願2012-030435 H24.2.15
2403007 メタルボンド砥石およびその製造方法 Ｃｕ母相とダイヤモンド粒子の結合力を大きくする金属材料をＣｕおよびダイヤモンド粒子の粉末に含ませることにより、耐久性に優れたＣｕ基メタルボンド砥石およびその製造方法を提供する 特願2012-030802 H24.2.15
2403008 オーミック電極の形成方法 本発明は、ＳｉＣ等の高融点の半導体材料等に熱処理することなく低温でオーミック電極を形成できる製造方法である。 特願2012-031189 H24.2.16
2403009 インドール‐３-トリフロン類の直接的製造法及びインドールトリフロン誘導体 発明者らは、医薬農分野において注目されるインドールトリフロン誘導体を、対応するインドールに対する直接的な反応によって簡便に、かつ高効率にて製造する方法を開発した。 特願2012-035759 H24.2.22
2403010 運動器具 本発明は、筋力の強化やバランスコントロール能力を鍛錬するための運動器具に関するもので、単純な構成でありながら自由度が高くて適応範囲が広く、飽きにくいトレーニングを実現する新たな運動器具を提供する。 特願2012-039842 H24.2.27
2403011 半導体結晶材料およびこれを用いた半導体素子 本発明は、バナジウムのドープ量を従来のドープ量より尐なくし、バナジウム濃度と、残留ドナー不純物濃度ＮＤおよび残留アクセプター不純物の濃度ＮＡと所定の関係にすることにより、高周波電子デバイスに好適な半絶縁性ＳｉＣ単結晶を提供する。 特願2012-040240 H24.2.27
2403012 半導体結晶材料およびその製造方法 転位密度が１×１０４ｃｍ－２以下である、不純物を添加したＳｉＣ単結晶およびその製造方法を提供する。 特願2012-040985 H24.2.28

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