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| 開示番号 | 発明の名称 | 発明の概要 | 出願番号 | 出願日 |
| 2208001 | 感覚統合運動機能の計測装置 | 人間の行動にとって不可欠な感覚統合運動機能に対して、リハビリテーションの現場でも使用可能な定量的評価のための計測装置の発明である。これにより、治療行為の効率化や治療効果の向上などが期待される。 | 特願2010-167151 | H22.7.26 |
| 2208002 | 結晶成長方法、半導体装置の製造方法および結晶成長方法の実施に用いる高圧装置 | 本発明による安熱法でより高温高圧でバルクのＧａＮ単結晶の成長ができる。従来は、高圧法上の問題があり成長速度が遅く、コスト上商業化できなかったが、本発明により、十分な成長速度でコストの見合うＧａＮ単結晶が可能となる。 | 特願2010-146452 | H22.6.28 |
| 2208003 | 半導体基板および半導体装置 | ＧａＮ系電子デバイスは国内外で研究されているが、ノーマリーオンデバイスができず、実用化が遅れている。Ａｌ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３混晶を用いた本発明により、しきい値電圧が高く、ゲートリーク電流が少ないノーマリオフデバイスができる。 | 特願2010-140937 | H22.6.21 |
| 2208004 | 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | ＧａＮ系電子デバイスは国内外で研究されているが、ノーマリーオンデバイスができず、実用化が遅れている。水素中の酸素分圧を精密制御する本発明により、良質の酸化物絶縁層を形成できノーマリオフデバイスができる。 | 特願2010-141003 | H22.6.21 |
| 2208005 | 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | ＧａＮ系電子デバイスを作成するにあたり、ＭＯＣＶＤによりＧａＮ系のエビ膜を成長し、その上に二次元電子ガスを生成させるＨＥＭＴ構造をデバイス構造をＭＢＥで成長させる。より高性能の電子デバイスが製造できる。 | 特願2010-141738 | H22.6.22 |
| 2208006 | 半導体基板および半導体装置 | ＧａＮ系電子デバイスは国内外で研究されているが、ノーマリーオンデバイスができず、実用化が遅れている。Ａｌ２Ｏ３－ＡｌＮ混晶を用いた本発明により、しきい値電圧が高く、ゲートリーク電流が少ないノーマリオフデバイスができる。 | 特願2010-140883 | H22.6.21 |
| 2208007 | 認知機能障害危険度算出装置、認知機能障害危険度算出システム、及びプログラム | 高齢者の発話音声に含まれる特徴を抽出・解析することで、認知症の危険度を推定する装置と計算手法です。テスト形式を取らないため、在宅の高齢者が単独で自然に認知機能のレベルをチェックすることが可能です。 | 特願2010-134403 | H22.6.11 |
| 2208008 | 結晶配向セラミックス及びその製造方法 | 結晶配向セラミックスの製造方法において、特殊な装置を用いることなく、また複雑なプロセスを経ることなく、特定の結晶軸が一方向に高配向したセラミックス多結晶体を提供する。 | 特願2010-171541 | H22.7.30 |
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